2А536А6 (200*г)
| Частота : | критическая: >300 ГГц |
|---|
| Заряд : | накопленный: 150 нКл |
|---|
| Напряжение : | пробивное: >300 В |
|---|
| Сопротивление : | потерь: <1,5 Ом |
|---|
| Емкость : | 0,08…0,16 пФ |
|---|
| Напряжение : | постоянное обратное: 150 В |
|---|
| Ток : | постоянный прямой: 150 мА |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая: 1 Вт |
|---|
| Температура окружающей среды при эксплуатации : | -60…+85 °С |
|---|
|
Диоды 2А536А-6 кремниевые, эпитаксиальные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
модуляторах, аттенюаторах, фазовращателях сантиметрового
диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем,
обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия
влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы,
пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами без
кристаллодержателя 2А536А-5, 2А536Б-5, КА536А-5, КА536Б-5,
КА536В-5 и на кристаллодержателе 2А536А-6, 2А536Б-6, КА536А-6,
КА536Б-6, КА536В-6.
Тип диода приводится на этикетке. Положительный электрод имеет
меньшие размеры.
Масса диодов 2А536А-5, КА536А-5 - не более 0,0003 г, 2А536А-6,
КА536А-6 - не более 0,02 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2a536.pdf) |
|
