2А524А4
| Частота : | критическая: не менее 160 ГГц |
|---|
| Сопротивление : | потерь прямое: не более 0,5 Ом |
|---|
| Заряд : | накопленный: не более 400 нКл |
|---|
| Время : | обратного восстановления: не более 1,5 мкс |
|---|
| Напряжение : | пробивное: не менее 600 В |
|---|
| Напряжение : | постоянное обратное: не более 100 В |
|---|
| Ток : | постоянный прямой: не более 1000 мА |
|---|
| Мощность : | непрерывная рассеиваемая: не менее 1 Вт |
|---|
| Рабочая температура : | -60...+125°С |
|---|
| Минимальная наработка : | 25000 ч |
|---|
| Срок сохраняемости : | 25 лет |
|---|
| Вес : | 0,15 г |
|---|
|
Диоды 2А524А-4 кремниевые, диффузионные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа
p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах
дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн в составе
гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и
защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых
грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами на
кристаллодержателе с защитным покрытием.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Маркируются: 2А524А-4 - одной красной точкой у положительного
электрода; 2А524Б-4 - двумя красными точками.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2a524.pdf) |
|
