КС1НТ251
Коэффициент : | передачи тока: >10 |
Напряжение : | насыщения коллектор-эмиттер: <2 В |
Напряжение : | насыщения база-эмиттер: < 2,5 В |
Ток : | коллектора обратный: <20 мкА |
Ток : | эмиттера обратный: <20 мкА |
Емкость : | коллекторного перехода: <15 пФ |
Емкость : | эмиттерного перехода: <50 пФ |
Время : | рассасывания: 200 нс |
Корпус : | CDIP-14 |
КС1НТ251 - микросхема содержит 4 кремниевых
эпитаксиально-планарных транзистора структуры N-P-N, выполненных
на одном кристалле, предназначенных для коммутации цепей в
радиоэлектронной аппаратуре.
Смотрите справочные данные
<== ТУТ (kc1nt251_.pdf) |
|